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GD25LQ32DNIGR
GD25LQ32DNIGR
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- 品牌名称
- GigaDevice(兆易创新)
- 商品型号
- GD25LQ32DNIGR
- 商品编号
- C6626511
- 商品封装
- USON-8(3x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 32Mbit | |
| 工作电压 | 1.65V~2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 页写入时间(Tpp) | 2.4ms | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护 |
商品概述
GD25LQ32D（32M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双路/四路SPI和QPI模式：串行时钟、片选、串行数据输入/输出0（SI）、输入/输出1（SO）、输入/输出2（WP#）和输入/输出3（HOLD#）。双路输入/输出数据传输速度高达240Mbits/s，四路输入/输出和四路输出数据传输速度高达480Mbits/s。
商品特性
- 32M位串行闪存，4096K字节，每个可编程页256字节
- 支持标准、双路、四路SPI和QPI模式
- 高速时钟频率，快速读取时高达120MHz（负载30PF）
- 双路输入/输出数据传输高达240Mbits/s
- 四路输入/输出数据传输高达480Mbits/s
- QPI模式数据传输高达480Mbits/s
- 支持就地执行（XIP）操作
- 支持8/16/32/64字节回绕的连续读取
- 提供软件/硬件写保护
- 快速编程/擦除速度，页编程时间典型值0.7ms，扇区擦除时间典型值90ms，块擦除时间典型值0.3/0.45s，芯片擦除时间典型值20s
- 灵活的存储架构，具有4K字节的统一扇区和32/64K字节的统一块，支持擦除/编程挂起/恢复
- 低功耗，典型待机电流35μA，典型掉电电流1μA
- 高级安全特性，每个器件具有128位ID，以及3个1024字节的带一次性可编程锁的安全寄存器
- 单电源电压，全电压范围1.65~2.0V
- 最小100,000次编程/擦除周期
- 典型数据保持期为20年