P3M06060G7
1个N沟道 耐压:650V 电流:44A
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- 品牌名称
- PN Junction
- 商品型号
- P3M06060G7
- 商品编号
- C6625354
- 商品封装
- D2PAK-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.907克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 79mΩ@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 159W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.911nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景： 发动机管理系统 车身控制电子设备 DC-DC转换器
商品特性
- 符合 AEC-Q101 标准
- 高阻断电压,低导通电阻
- 高频操作
- 超小栅漏电荷(Qgd)
- 100% 进行了非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
-太阳能逆变器-电动汽车电池充电器-高压直流/直流转换器-开关模式电源
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