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ZXMN6A09KQTC
1个N沟道 耐压:60V 电流:11.8A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN6A09KQTC
- 商品编号
- C6624041
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.426nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NP60N055VUK是一款专为大电流开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 低栅极驱动
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 符合AEC - Q101高可靠性标准
- 可提供生产件批准程序(PPAP)文件
应用领域
- DC - DC转换器
- 电源管理功能
- 断开开关
- 电机控制
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