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NTLJS053N12MCLTAG
1个N沟道 耐压:120V 电流:4.5A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTLJS053N12MCLTAG
- 商品编号
- C6622726
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 620mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 屏蔽栅极MOSFET技术
- 反向恢复电荷(Qrr)比其他MOSFET供应商低50%
- 降低开关噪声/电磁干扰(EMI)
- 薄型设计——MicroFET 2x2 mm封装最大高度为0.5 mm
- 经过100%单脉冲非钳位感性负载(UIL)测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 主直流-直流(DC-DC)MOSFET
- 直流-直流(DC-DC)和交流-直流(AC-DC)同步整流器
- 电机驱动