NTE2696
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 120V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 350 | |
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV |
商品概述
NTE2696是一款采用TO - 92封装的硅NPN晶体管，专为低频和低噪声应用而设计。该器件的功能是降低低信号源阻抗区域的噪声系数，并降低脉冲噪声。NTE2696还可用于均衡放大器的第一级。
商品特性
- 低噪声：噪声系数NF = 4dB（典型值），RG = 100Ω，VCE = 6V，IC = 100μA，f = 1kHz；噪声系数NF = 0.5dB（典型值），RG（上划线） = 1kΩ，VCE（上划线） = 6V，IC（上划线） = 100μA，f = 1kHz
- 低脉冲噪声：低1/f噪声
- 高直流电流增益：hFE = 350 ~ 700
- 高击穿电压：VCEO = 120V