NTE2375
1个N沟道 耐压:100V 电流:41A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- NTE Electronics
- 商品型号
- NTE2375
- 商品编号
- C6622517
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 41A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 230W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 生产过程中进行100%非箝位电感开关（UIS）测试
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 无铅涂层；符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 电池充电-电源管理功能-DC-DC转换器-便携式电源适配器