FMD15-06KC5
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 直接铜键合(Direct-Copper-Bond)基板上的硅芯片
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500 V 电气隔离
- 低漏极到散热片电容(< 40 pF)
- 第四代快速 CoolMOS 1) 功率 MOSFET
- 高阻断能力
- 极低电阻
- 经雪崩额定,适用于无钳位电感开关(UIS)
- 因芯片厚度减小而具有低热阻
- 增强的总功率密度
- 由串联二极管组成的 HiPerDyn FRED
- 针对高频操作增强的动态性能
应用领域
- 开关模式电源(SMPS)
- 不间断电源(UPS)
- 功率因数校正(PFC)