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MTW24N40E

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: MTW24N40E
商品编号: C6610801
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 7.562克(g)

商品参数

商品概述

这款高压MOSFET采用先进的终端方案，在不随时间降低性能的情况下，增强了耐压能力。此外，这款先进的功率MOSFET设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。这种新型节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的高压、高速开关应用而设计，特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求严格的桥接电路，并能针对意外电压瞬变提供额外的安全余量。

商品特性

坚固的高压终端
规定雪崩能量
源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
二极管适用于桥式电路
规定高温下的 IDSS 和 VDS(on)
隔离安装孔减少安装硬件

应用领域

-电源-转换器-PWM电机控制-桥式电路

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	400V
	连续漏极电流(Id)	24A
	导通电阻(RDS(on))	160mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	250W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2V
	栅极电荷量(Qg)	160nC@10V
	输入电容(Ciss)	5.6nF
	反向传输电容(Crss)	220pF
	工作温度	-55℃~+150℃