MTD3302T4
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.76nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET能够在雪崩和换向模式下承受高能量，且漏源二极管的反向恢复时间极短。这些器件专为功率效率至关重要的低压、高速开关应用而设计。规定了雪崩能量，可消除在切换感性负载的设计中的不确定性，并针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 具备广泛的功率额定值范围
- 超低 RDS(on) 可提高效率,并延长便携式应用中的电池续航时间
- 逻辑电平栅极驱动——可由逻辑IC驱动
- 二极管适用于桥接电路
- 二极管具有高速特性,且恢复特性柔和
- 规定了高温下的 IDSS
- 规定了雪崩能量
应用领域
- 直流-直流转换器
- 便携式和电池供电产品(如计算机、打印机、手机和无绳电话)的电源管理
- 大容量存储产品(如磁盘驱动器和磁带驱动器)中的低压电机控制
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