- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT28EW01GABA1HJS-0AAT TR
MT28EW01GABA1HJS-0AAT TR
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT28EW01GABA1HJS-0AAT TR
- 商品编号
- C6600698
- 商品封装
- TSOP-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.887833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 30uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 页写入时间(Tpp) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | 200ms@(128KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；软件写保护 |
商品特性
- 单级单元（SLC）工艺技术
- 密度：512Mb
- 电源电压：
- VCC = 2.7 - 3.6V（编程、擦除、读取）
- VCCQ = 1.65 - VCC（I/O缓冲器）
- 异步随机/页读取
- 页大小：16字或32字节
- 页访问时间：20ns
- 随机访问时间：105ns（VCC = VCCQ = 2.7 - 3.6V）
- 随机访问时间：110ns（VCCQ = 1.65 - VCC）
- 缓冲编程（512字编程缓冲器）
- 使用完整缓冲编程时为2.0MB/s（典型值）
- 使用加速缓冲编程（VHH）时为2.5MB/s（典型值）
- 字/字节编程：每字25μs（典型值）
- 块擦除（128KB）：0.2s（典型值）
- 内存组织：统一块，每个128KB或64KW
- x8/x16数据总线
- 编程/擦除暂停和恢复功能
- 在编程暂停操作期间可从另一个块读取
- 在擦除暂停操作期间可读取或编程另一个块
- 解锁旁路、块擦除、芯片擦除和写入缓冲器功能
- 空白检查操作以验证擦除块
- 循环冗余校验（CRC）操作以验证编程模式
- VPP/WP#保护
- 无论块保护设置如何，保护第一个或最后一个块
- 软件保护
- 易失性保护
- 非易失性保护
- 密码保护
- 扩展内存块
- 128字（256字节）块用于永久、安全标识
- 可在工厂或由客户编程或锁定
- 符合JESD47标准
- 每个块最少100,000次擦除循环
- 数据保留时间：20年（典型值）
- 封装：
- 56引脚TSOP，14×20mm（JS）
- 64球LBGA，11×13mm（PC）
- 符合RoHS标准，无卤封装
- 汽车工作温度
- 环境温度：-40°C ~ +105°C
- MT35XU02GCBA1G12-0AAT TR
- MTLW-116-06-G-S-130
- MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR
- MTLW-116-06-T-S-140
- MTLW-116-06-T-S-202
- MTLW-116-07-F-D-250
- MTLW-116-07-G-D-265
- MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B TR
- MTLW-116-07-L-S-190
- MTLW-116-07-S-D-240
- MTLW-116-08-F-S-290
- MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A
- MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B
- MTLW-116-09-L-D-510
- MT29F4G01ABAFD12-ITES:F TR
- MT29F4G16ABAEAH4:E
- MTLW-117-05-G-S-130
- MTLW-117-05-T-S-185
- MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G
- MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B TR
- MTLW-117-09-L-D-510