MD2148H3
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
英特尔M2148H是一款4096位静态随机存取存储器,采用高性能MOS技术Hmos III,按1024字×4位组织。它采用独特创新的设计方法,兼具非时钟静态存储器的易用特性和时钟静态存储器的低待机功耗特性。用户无需时钟、地址建立和保持时间,也不会因周期时间长于访问时间而降低数据速率,即可实现低待机功耗。英特尔的HMOS III工艺为有严格辐射要求的应用提供了出色的抗辐射能力。CS控制掉电功能,CS变高使M2148H禁用后不到一个周期时间,器件自动降低功率需求,只要CS保持高电平,就保持低功耗待机模式。在大型系统中,该器件特性可节省高达85%的系统功率。M2148H采用18引脚封装,引脚配置符合行业标准1K×4。它在各方面与TTL直接兼容,包括输入、输出和单+5V电源。数据非破坏性读出,极性与输入数据相同。
商品特性
- HMOS III技术
- 完全静态存储器,无需时钟或定时选通
- 访问时间和周期时间相等
- 单+5V电源
- 掉电功能
- 高密度18引脚封装
- 行业标准M2114A引脚配置
- 数据输入输出共用
- 三态输出
应用领域
- 有严格辐射要求的应用
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