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IDH04G65C6XKSA1
650V SiC肖特基二极管
- 描述
- 该产品是碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术，通过引入新型肖特基金属系统等进一步改进了前代专有创新G5技术。在所有负载条件下具有更高的效率，这得益于更低的品质因数 (Qc × VF)。设计用于补充600 V和650 V CoolMOST 7系列，满足该电压范围内最严格的应用要求。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IDH04G65C6XKSA1
- 商品编号
- C6577446
- 商品封装
- TO-220-2
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅二极管 | |
| 整流电流 | 12A | |
| 正向压降(Vf) | 1.35V@4A | |
| 直流反向耐压(Vr) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 14uA@420V | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 29A | |
| 工作结温范围 | -55℃~+175℃ |
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