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WPM2015-3/TR
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.4A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。超高密度单元设计。极低阈值电压。适用于更高直流电流的出色导通电阻。应用：便携式设备的负载开关。DC/DC转换器
- 品牌名称
- KUU
- 商品型号
- WPM2015-3/TR
- 商品编号
- C6562215
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0305克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V,2.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 534pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款互补MOSFET器件采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大限度降低导通电阻，同时保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。
商品特性
- Q1：N沟道
- 4.5 A、60 V
- VGS = 10 V时，RDS(on) = 55 mΩ
- VGS = 4.5 V时，RDS(on) = 75 mΩ
- Q2：P沟道
- -3.5 A、-60 V
- VGS = -10 V时，RDS(on) = 105 mΩ
- VGS = -4.5 V时，RDS(on) = 135 mΩ
- 通过AEC Q101认证
- 符合RoHS标准
- SO-8封装