FQD6N60CTM-WS
FQD6N60CTM-WS
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD6N60CTM-WS
- 商品编号
- C6557691
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V,2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 810pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 高速开关
- 小栅极电荷：QSW = 17 nC（典型值）
- 小输出电荷：Qoss = 66 nC（典型值）
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.2 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 80 V）
- 增强型：Vth = 2.5 至 3.5 V（VDS = 10 V，ID = 0.7 mA）
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器
- 电机驱动器