FDMT800150DC-22897
FDMT800150DC-22897
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMT800150DC-22897
- 商品编号
- C6555275
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 66A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 108nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.205nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 15 A时,最大rDS(on) = 6.5 mΩ
- 在VGS = 8 V、ID = 13 A时,最大rDS(on) = 8.4 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合,实现低rDS(on)和高效率
- 下一代增强型体二极管技术,具备软恢复特性
- 8x8 mm小尺寸MLP封装
- MSL1高可靠性封装设计
- 100%进行UIL测试
- 该器件无铅、无卤,符合RoHS标准
应用领域
-理想二极管(OringFET)/负载开关-同步整流-DC-DC转换