CEH2315-HF
1个P沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 品牌名称
- Comchip(典琦)
- 商品型号
- CEH2315-HF
- 商品编号
- C6529008
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V,3.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
商品概述
基于先进耐用技术（ART），这款2000 W LDMOS射频功率晶体管专为覆盖工业、科学和医疗（ISM）、广播和通信等广泛应用而设计。该无匹配晶体管的频率范围为1 MHz至450 MHz。
商品特性
- 高击穿电压支持E类工作，最高可达VDS = 53 V
- 最高可承受VDS = 65 V
- 在30 V至65 V范围内进行特性表征，以支持广泛的应用
- 集成双面ESD保护，支持C类工作并可完全关断晶体管
- 出色的耐用性，无器件性能退化
- 高效率
- 优异的热稳定性
- 专为宽带工作设计
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 等离子体发生器
- 磁共振成像（MRI）系统
- 粒子加速器
- 广播
- 调频（FM）广播
- 甚高频（VHF）电视
- 通信
- 非蜂窝通信
- 超高频（UHF）雷达