CXDM6053N TR PBFREE
1个N沟道 耐压:60V 电流:5.3A
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- 品牌名称
- Central(中环)
- 商品型号
- CXDM6053N TR PBFREE
- 商品编号
- C6520746
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
一款适用于高频至2500 MHz频段广播和工业应用的5 W LDMOS功率晶体管。
商品特性
- 易于进行功率控制
- 集成ESD保护
- 出色的耐用性
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 高功率增益
- 专为宽带操作设计（高频至2500 MHz）
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 广播发射机应用
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