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CPC3909CTR
1个N沟道 耐压:400V 电流:300mA
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- 描述
- 是N沟道耗尽型场效应晶体管（FET），有SOT-223和SOT-89两种封装。采用专有第三代垂直DMOS工艺，在经济的硅栅工艺中实现高性能高压MOSFET。垂直DMOS工艺使器件可靠性高，尤其适用于电信、安防和电源等复杂应用环境。典型导通电阻为4.5Ω，漏源电压为400V。FET结构可防止热失控和热致二次击穿。
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- CPC3909CTR
- 商品编号
- C6490038
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137505克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 9Ω@0V,300mA | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 工作温度 | -40℃~+110℃@(Ta) | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 导通电阻RDS(on) = 1.9Ω（典型值）
- 输入电容Ciss = 710pF（典型值）
- 10V驱动
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