CEDM7004 BK PBFREE
1个N沟道 耐压:30V 电流:1.78A
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- 品牌名称
- Central(中环)
- 商品型号
- CEDM7004 BK PBFREE
- 商品编号
- C6479861
- 商品封装
- SOT-883
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.78A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 460mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 43pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
功率MOS是一款高速、高压N沟道开关模式功率MOSFET。此“快速恢复外延二极管场效应晶体管（FREDFET）”版本的漏源（体）二极管经过优化，通过降低反向恢复时间（trr）、实现软恢复以及具备高恢复dv/dt能力，在零电压开关（ZVS）移相桥和其他电路中实现了高可靠性。低栅极电荷、高增益以及大幅降低的Crss/Ciss比值，使其具备出色的抗噪能力和低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制di/dt，即使在非常高的频率下进行开关操作，也能实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联。
商品特性
- 静电放电(ESD)保护高达2 kV
- 封装高度低至0.4mm
- 低导通电阻rDS(ON)
- 低阈值电压
- 逻辑电平兼容
- 小型无引脚表面贴装封装
应用领域
-负载/电源开关-电源转换电路-电池供电的便携式设备