商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 136nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.89nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
适用于1.3 GHz频率连续波应用的250 W LDMOS功率晶体管。
商品特性
- 易于功率控制
- 集成ESD保护
- 出色的耐用性
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 内部匹配，使用方便
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
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