BLF7G27LS-150P,118

一款双N沟道增强型MOSFET，采用N沟道DMOS工艺制造，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。该器件具有低导通电阻rDS(ON)、低开启电压VGS(th)，并具备高达2kV的静电放电（ESD）保护能力。