BLC9G20LS-120VZ

功率MOS是一种高速、高压N沟道开关模式功率MOSFET。这种“FREDFET”版本的漏源（本体）二极管经过优化，在零电压开关（ZVS）移相桥和其他电路中具有高可靠性，具备降低反向恢复时间（trr）、软恢复特性和高恢复电压变化率（dv/dt）能力。低栅极电荷、高增益以及大幅降低的Crss/Ciss比，使其具有出色的抗噪能力和低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制电流变化率（di/dt），即使在极高频率下进行开关操作，也能实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联。

• 出色的耐用性
• 高效率
• 低热阻,提供出色的热稳定性
• 去耦功能,可增强视频带宽性能(典型值75 MHz)
• 专为宽带操作设计(1805 MHz至1995 MHz)
• 较低的输出电容,可提高在Doherty应用中的性能
• 专为低记忆效应设计,具有出色的预失真能力
• 内部匹配,使用方便
• 集成ESD保护
• 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令

• 适用于1805 MHz至1995 MHz频率范围的基站和多载波应用的RF功率放大器