BD2320UEFJ-LAE2
BD2320UEFJ-LAE2
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- BD2320UEFJ-LAE2
- 商品编号
- C6470603
- 商品封装
- HTSOP-8-J
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4.5A | |
| 拉电流(IOH) | 3.5A | |
| 工作电压 | 7.5V~14.5V | |
| 上升时间(tr) | 8ns | |
| 下降时间(tf) | 6ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.5V~2.8V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV~1.7V | |
| 静态电流(Iq) | 120uA | |
| 功能特性 | 内置自举二极管 |
商品概述
该产品可保证在工业市场长期供应。BD2320EFJ-LA和BD2320UEFJ-LA是最大电压为100 V的高端和低端栅极驱动器，可使用自举方法驱动外部N沟道FET。该驱动器包含一个100 V自举二极管，以及用于高端和低端的独立输入控制。接口电压可选3.3 V和5.0 V。高端和低端均内置欠压锁定电路。
商品特性
- 适用于工业应用的长期供应产品
- 高端和低端驱动器具备欠压锁定（UVLO）功能
- 接口电压可选3.3 V和5.0 V
- 输出与输入信号同相
应用领域
- 电信和数据通信电源
- MOSFET应用
- 半桥和全桥转换器
- 正激转换器
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