7164S20YGI8
7164S20YGI8
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 7164S20YGI8
- 商品编号
- C6462847
- 商品封装
- SOJ-28
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 64Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 19ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 100mA | |
| 待机电流 | 200uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
IDT7164是一款65,536位的高速静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为8K x 8。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。地址访问时间最快可达20ns，电路提供低功耗待机模式。当CS1为高电平或CS2为低电平时，电路将自动进入并保持低功耗待机模式。低功耗（L）版本还能在低至2V的电源电平下提供电池备份数据保留功能。IDT7164的所有输入和输出均与TTL兼容，使用单一5V电源供电，简化了系统设计。采用全静态异步电路，操作无需时钟或刷新。IDT7164封装形式包括28引脚300密耳陶瓷双列直插封装（CERDIP）、28引脚600密耳CERDIP、300密耳塑料双列直插封装（DIP）和300密耳小外形J引脚封装（SOJ）。
商品特性
- 高速地址/芯片选择访问时间
- 商用：20/25ns（最大）
- 工业用：20/25ns（最大）
- 低功耗
- 电池备份操作 - 2V数据保留电压（仅L版本）
- 采用先进的CMOS高性能技术生产
- 输入和输出直接与TTL兼容
- 三态输出
- 提供28引脚DIP、CERDIP和SOJ封装
- 工业温度范围（-40°C至+85°C）适用于选定速度
- 提供环保部件