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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 190V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 410mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC | |
| 输入电容(Ciss) | 733pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 16pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
2002A采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS:190V
- ID(VGS=10 V 时):5A
- RDS(ON)(VGS = 10V 时):540 m Ω -RDS(ON)(VGS = 4.5 V 时):560 m Ω
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器