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EM6K6T2R
2个N沟道 耐压:20V 电流:300mA
- 描述
- 特性：MOSFET元件相互独立，消除相互干扰。 可将安装成本和面积减半。 低导通电阻。 低电压驱动（1.8V），适用于便携式设备。 无铅镀铅；符合RoHS标准。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- EM6K6T2R
- 商品编号
- C703620
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 300mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- MOSFET元件相互独立,消除了相互干扰。
- 安装成本和面积可减半。
- 导通电阻低。
- 低电压驱动(1.8V),使该器件非常适合便携式设备。
- 引脚无铅电镀;符合RoHS标准。
应用领域
-开关