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DMTH10H2M5STLW-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:215A
- 描述
- 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 的设计旨在最小化导通电阻（RDoS(ON)），同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH10H2M5STLW-13
- 商品编号
- C6430964
- 商品封装
- PowerDI1012-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 215A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 230.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 124.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 8.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.43nF |
商品概述
AOI2N60采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。 该器件具备低 RDS(on)、Ciss和 Crss，并保证雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- 额定温度可达+175°C,适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位感性开关(UIS)测试,确保终端应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(ON),可将导通状态损耗降至最低
- 可焊侧翼,便于光学检测
- 无铅镀层,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,环保型器件
应用领域
- 电机控制
- DC-DC转换器
- 电源管理