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BUK7S1R0-40H
1个N沟道 耐压:40V 电流:325A
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- 描述
- 汽车级N沟道MOSFET，采用最新的Trench 9低欧姆超结技术，封装在铜夹LFPAK88中。该产品经过全面设计和认证，满足并超越AEC-Q101要求，提供高性能和可靠性。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK7S1R0-40H
- 商品编号
- C6423720
- 商品封装
- SOT-1235
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.444克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 325A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.88mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.373nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 295pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.578nF |
商品概述
适用于基站应用的550 W LDMOS封装非对称多尔蒂功率晶体管，工作频率范围为1805 MHz至1880 MHz。
商品特性
- 完全符合并超越AEC-Q101汽车级标准
- 工作温度范围为 -55 °C至 +175 °C,适用于对散热要求高的环境
- 与D2PAK等旧款引线键合封装相比,设计更节省空间,且提高了功率密度,适用于当今空间受限的高功率汽车应用
- 薄型封装和铜夹使LFPAK88具有高效的散热性能
- 最大电流能力增强,电流分布出色
- 改善了RDS(on)
- 源极电感低
- 热阻Rth低
- 引脚灵活,能吸收机械和热循环应力,实现高板级可靠性,这与传统QFN封装不同
- 可进行目视(AOI)焊接检查,无需昂贵的X射线设备
- 易于焊接润湿,形成良好的机械焊点
- 减小的单元间距和超结平台可在相同封装尺寸下降低RDS(on)
- 与标准TrenchMOS相比,改善了安全工作区(SOA)和雪崩能力
- 紧密的VGS(th)限值使MOSFET易于并联
应用领域
- 12 V汽车系统
- 48 V DC/DC系统(12 V次级侧)
- 高功率电机、灯具和电磁阀控制
- 反极性保护
- LED照明
- 超高性能功率开关