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BUK7S1R0-40H
1个N沟道 耐压:40V 电流:325A
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- 描述
- 汽车级N沟道MOSFET，采用最新的Trench 9低欧姆超结技术，封装在铜夹LFPAK88中。该产品经过全面设计和认证，满足并超越AEC-Q101要求，提供高性能和可靠性。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK7S1R0-40H
- 商品编号
- C6423720
- 商品封装
- SOT-1235
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.444克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 325A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.88mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.373nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 295pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.578nF |
商品概述
适用于基站应用的550 W LDMOS封装非对称多尔蒂功率晶体管，工作频率范围为1805 MHz至1880 MHz。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻，具备出色的热稳定性
- 较低的输出电容，可提升多尔蒂应用的性能
- 专为低记忆效应设计，具备出色的数字预失真能力
- 内部匹配，使用方便
- 集成ESD保护
- 符合关于限制有害物质（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 用于1805 MHz至1880 MHz频率范围基站和多载波应用的射频功率放大器