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IPT015N10N5ATMA1

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属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)300A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.5mΩ@150A,10V
属性参数值
功率(Pd)375W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.8V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)211nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)16nF@50V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

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