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RQ3E180BNTB
1个N沟道 耐压:30V 电流:39A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 高功率封装（HSMT8）。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 无卤。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RQ3E180BNTB
- 商品编号
- C6416903
- 商品封装
- HSMT-8(3x3.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V,18A | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 330pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻。
- 超高速开关。
- 4V驱动。
- 保证抗雪崩能力。
应用领域
- 电机驱动器
- DC/DC转换器