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HSD6004
停产 1个N沟道 耐压:60V 电流:23A
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSD6004
- 商品编号
- C701059
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.816克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSD6004是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSD6004符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩能量耐量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
- 出色的dv/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
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