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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HSBA3062

1个N沟道 耐压:30V 电流:40A

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品牌名称
HUASHUO(华朔)
商品型号
HSBA3062
商品编号
C701045
商品封装
PRPAK(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.135克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))12.5mΩ@10V,6A
耗散功率(Pd)31W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.7V@250uA
栅极电荷量(Qg)4.2nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)396pF@15V
反向传输电容(Crss)18pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 100% 保证符合 EAS 标准
  • 提供绿色环保器件
  • 超低栅极电荷
  • 出色的 CdV/dt 效应抑制能力
  • 先进的高单元密度沟槽技术

应用领域

  • 台式计算机电源管理或 DC/DC 转换器
  • 电信和工业领域的隔离式 DC/DC 转换器

数据手册PDF