2SJ358-T1-AZ
1个P沟道 耐压:60V 电流:3A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SJ358-T1-AZ
- 商品编号
- C6404798
- 商品封装
- TO-243AA
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 低输入/输出泄漏电流
- 100%非钳位电感开关（生产测试）——确保更高可靠性
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防犯罪系统、安全设备,以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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