2SB1136R
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 12A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 特征频率(fT) | 10MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV |
商品特性
- 低饱和集电极 - 发射极电压：VCE(sat) = -0.5V（PNP），0.4V（PNP）最大值。
- 宽安全工作区（ASO），具有高抗击穿能力。
- 无云母封装，便于安装。
应用领域
- 继电器驱动器、高速逆变器、转换器和其他一般大电流开关应用。
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