商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 直流电流增益(hFE) | 750 | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 12A | |
| 特征频率(fT) | 4MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3V | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) |
商品概述
2N6057是一款采用TO-3型封装的硅NPN达林顿晶体管，专为通用放大器和低频开关应用而设计。
商品特性
- 高直流电流增益：h_FE = 3500（典型值）@ I_C = 5A
应用领域
- 通用放大器
- 低频开关应用