- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
71V432S7PFG
71V432S7PFG
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 71V432S7PFG
- 商品编号
- C6404226
- 商品封装
- TQFP-100(14x14)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
IDT71V432是一款3.3V高速1,048,576位缓存RAM，组织为32K x 32，全面支持Pentium和PowerPC处理器接口。流水线突发架构为高达100MHz的处理器提供了经济高效的3-1-1-1二级缓存性能。IDT71V432缓存RAM包含写入、数据、地址和控制寄存器。内部逻辑允许缓存RAM基于可延迟至写入周期末端的决策生成自定时写入。突发模式功能可为系统设计者提供高性能，因为IDT71V432能为呈现给缓存RAM的单个地址提供四个周期的数据。内部突发地址计数器接收处理器的第一个周期地址，启动访问序列。第一个周期的输出数据将流水线处理一个周期，然后在下一个时钟上升沿可用。如果选择突发模式操作（ADV=低电平），后续三个周期的输出数据将在接下来三个时钟上升沿对用户可用。这三个地址的顺序将由内部突发计数器和LBO输入引脚定义。IDT71V432缓存RAM采用高性能、大批量的3.3V CMOS工艺制造，并封装在JEDEC标准14mm x20mm 100引脚薄型塑料四边扁平封装（TQFP）中，以实现台式机和笔记本应用中的板密度。
商品特性
- 32K x 32内存配置
- 支持高性能系统速度：商用和工业级：— 5ns时钟到数据访问时间（100MHz）；- 6ns时钟到数据访问时间（83MHz）；- 7ns时钟到数据访问时间（66MHz）
- 单周期取消选择功能（兼容Micron部件号MT58LC32K32D7LG-XX）
- LBO输入选择交错或线性突发模式
- 具有全局写入控制（GW）、字节写入使能（BWE）和字节写入（BWx）的自定时写入周期
- 通过ZZ输入控制掉电
- 采用单3.3V电源供电（+10/-5%）
- 封装在JEDEC标准100引脚矩形塑料薄型四边扁平封装（TQFP）中