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RFD16N05L

1个N沟道耐压:50V 电流:16A

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品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: RFD16N05L
商品编号: C6386232
商品封装: TO-251AA
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

RFD16N05L和RFD16N05LSM N沟道逻辑电平功率MOSFET采用MegaFET工艺制造。该工艺的特征尺寸接近大规模集成电路(LSI),能实现硅的最优利用,从而带来出色的性能。RFD16N05L和RFD16N05LSM专为与逻辑电平(5V)驱动源配合使用而设计,应用于可编程控制器、汽车开关、开关稳压器、开关转换器、电机继电器驱动器以及双极晶体管的发射极开关等领域。通过特殊的栅极氧化物设计,该器件可在3V - 5V的栅极偏置下实现全额定电导,从而便于直接从逻辑电路电源电压进行真正的通断功率控制。

商品特性

16A,50V
rDS(ON) = 0.047Ω
单脉冲UIS安全工作区(SOA)额定曲线
针对5V栅极驱动进行优化设计
可直接由QMOS、NMOS、TTL电路驱动
符合汽车驱动要求
安全工作区受功率耗散限制
纳秒级开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
多数载流子器件
工作温度 +150°C

应用领域

升压转换器
消费类、电信、工业电源和LED背光的同步整流器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	50V
	连续漏极电流(Id)	-
	导通电阻(RDS(on))	-

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	-
	栅极电荷量(Qg)	-
	工作温度	-