2SK4178-ZK-E1-AY
1个N沟道 耐压:30V 电流:48A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK4178-ZK-E1-AY
- 商品编号
- C6380617
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W；33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF |
商品概述
采用沟槽式MOSFET技术、MLPAK33（SOT8002）表面贴装器件（SMD）塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 沟槽式MOSFET技术
- 超低QG和QGD，系统效率高，尤其在较高开关频率下
- 超快速开关，软恢复
- 低尖峰和振铃，适用于低电磁干扰设计
- MLPAK33封装（3.3 x 3.3 mm占位面积）
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备以及工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防犯罪系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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