商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 350V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 40@20mA,10V | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 2uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV@4mA,50mA | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) |
商品概述
2N3439U4至2N3440U4系列高频外延平面晶体管具有低饱和电压的特点。U4封装为密封封装，外形低矮，可最大程度减小电路板高度。这些器件也提供UA、TO - 5和TO - 39封装形式。
商品特性
- JEDEC注册的2N3439U4至2N3440U4系列。
- 设计符合RoHS标准。
- 当Ic = 50 mA时，Vce(sat) = 0.5 V。
- 当IC = 20 mA、IB1 = 2.0 mA时，导通时间ton最大为1.0 μs。
- 当IC = 20 mA、IB1 = -IB2 = 2.0 mA时，关断时间toff最大为10 μs。
应用领域
适用于需要高频开关和低封装高度的中功率通用晶体管应用。
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