温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DM7N65E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.1Ω@10V,3.5A | |
| 功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.05nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 12pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 高输入阻抗
- 符合RoHS规范
- 低导通电阻
- 快速开关
- 高输入阻抗
- 符合RoHS规范
应用领域
- 电子镇流器
- 电子变压器
- 开关电源
- 电子镇流器
- 电子变压器
- 开关电源