R6009ENX
1个N沟道 耐压:600V 电流:9A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- R6009ENX
- 商品编号
- C6373632
- 商品封装
- TO-220FM
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 535mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 430pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 在VGS = 10 V ID = 5.9 A 条件下，RDS(on) = 38.2 mΩ（最大值）
- 开关速度快
- 栅极电荷低
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的 RDS(on)
- 具备高功率和大电流处理能力
- 符合 RoHS 标准
- 这款 N 沟道 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺制造，该工艺经过特别优化，可在降低导通电阻的同时保持出色的开关性能。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关
- 驱动电路简单
- 易于并联使用
- 无铅镀层;符合 RoHS 标准
应用领域
-开关