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SI4425BDY-T1-GE3
P沟道，30 V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 先进的高单元密度工艺。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：负载开关。 笔记本电脑
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4425BDY-T1-GE3
- 商品编号
- C6373516
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V；10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 当VGS为10V、ID为20A时，RDS(ON) < 12mΩ
- 当VGS为4.5V、ID为10A时，RDS(ON) < 15mΩ
- 开关速度快
- 改善了dv/dt能力
- 反向传输电容低
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的环保模塑料
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