温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
1EDN7116UXTSA1
200V 高端 TDI 栅极驱动 IC，适用于 GaN SG HEMT 和 MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 是单通道栅极驱动IC，针对驱动英飞凌CoolGaN肖特基栅HEMT以及其他GaN SG HEMT和Si MOSFET进行了优化。该栅极驱动器具备几个关键特性，可实现基于GaN SG HEMT的高性能系统设计，包括真差分输入、四种驱动强度选项、有源米勒钳位和自举电压钳位。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 1EDN7116UXTSA1
- 商品编号
- C6368849
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 2A | |
| 拉电流(IOH) | 2A | |
| 工作电压 | 4.2V~11V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 3ns | |
| 下降时间(tf) | 55ns | |
| 传播延迟 tpLH | 55ns | |
| 传播延迟 tpHL | 55ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 1.8mA |
商品概述
1EDN71x6U 是一款单通道栅极驱动 IC，专为驱动英飞凌 CoolGaN 肖特基栅极 HEMT 以及其他 GaN SG HEMT 和 Si MOSFET 而优化。该栅极驱动器具备多项关键特性，可实现基于 GaN SG HEMT 的高性能系统设计，包括真差分输入、四种驱动强度选项、有源米勒钳位和自举电压钳位。
商品特性
- 专为驱动 GaN SG HEMT 和 Si MOSFET 而优化
- 全差分逻辑输入电路，可避免在低端或高端操作中出现误触发
- 高端操作时，高共模输入电压范围（CMR）可达 ± 200 V
- 对共模电压转换具有高抗扰度（100 V/ns），可在快速开关期间实现稳定运行
- 与 3.3 V 或 5 V 输入逻辑兼容
- 四种驱动强度变体，无需外部栅极电阻即可优化开关速度，源/灌电流能力高达 2 A
- 有源自举钳位，可避免死区时间内自举电容过充
- 有源米勒钳位，灌电流能力为 5 A，可避免感应导通
- 根据 JEDEC47/20/22 相关测试，适用于工业应用
应用领域
- 单通道：同步整流 E 类谐振无线电源
- 半桥（2 x 1EDN71x6U）：DC-DC 转换器、无刷直流/永磁同步电机驱动、D 类音频放大器、D 类谐振无线电源
优惠活动
购买数量
(4500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个4500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交16单