QSL11TR
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 270 | |
| 特征频率(fT) | 320MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 350mV |
商品概述
2SB1710和RB461F独立封装于TSMT5封装中。
商品特性
- 晶体管：低VCE(sat)
- 二极管：低VF
- 小封装
应用领域
- DC/DC转换器
- 电机驱动器
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