PXN017-30QLJ
1个N沟道 耐压:30V 电流:7.9A 电流:20A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PXN017-30QLJ
- 商品编号
- C6365696
- 商品封装
- MLPAK-33
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A；7.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 10.9W；1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 沟槽式MOSFET技术
- 超低QG和QGD,系统效率高,尤其在较高开关频率下
- 超快速开关,软恢复
- 低尖峰和振铃,适用于低电磁干扰设计
- MLPAK33封装(3.3 x 3.3 mm占位面积)
应用领域
-直流到直流转换-电池管理-低端负载开关-开关电路