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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 230mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V,375mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 100pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 100 伏 VDS
- RDS(导通) = 8 欧姆
- E 系列
- 与 TO92 兼容
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