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SST65R360S2
1个N沟道 耐压:650V 电流:13A
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- 品牌名称
- 上海超致
- 商品型号
- SST65R360S2
- 商品编号
- C696596
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 340mΩ@10V,6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 105W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 810pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.8pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
PM3400采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 出色的漏源导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷
应用领域
- DC/DC转换器
- 便携式设备的负载开关
- 电池开关