1个N沟道 耐压:800V 电流:18.4A 高压超结mos
- 1+: ¥13.66 / 个
- 10+: ¥11.78 / 个
- 50+: ¥10.61 / 个 (折合1管530.5元)
- 100+: ¥9.4 / 个 (折合1管470元)
- 500+: ¥8.86 / 个 (折合1管443元)
- 1000+: ¥8.62 / 个 (折合1管431元)
1+: |
¥13.66 / 个 |
10+: |
¥11.78 / 个 |
50+: |
¥10.61 / 个 (折合1管530.5元) |
100+: |
¥9.4 / 个 (折合1管470元) |
500+: |
¥8.86 / 个 (折合1管443元) |
1000+: |
¥8.62 / 个 (折合1管431元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 800V | |
连续漏极电流(Id) | 18.4A | |
功率(Pd) | 151W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 220mΩ@10V,9A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 27.5nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.29nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 22pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |