1个N沟道 耐压:800V 电流:10.5A 高压超结mos
- 1+: ¥7.71 / 个
- 10+: ¥6.51 / 个
- 40+: ¥5.85 / 个 (折合1管234元)
1+: |
¥7.71 / 个 |
10+: |
¥6.51 / 个 |
40+: |
¥5.85 / 个 (折合1管234元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 800V | |
连续漏极电流(Id) | 10.5A | |
功率(Pd) | 31W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 480mΩ@10V,5.5A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 13nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 630pF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 11pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |