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P3M06120K4

1个N沟道耐压:650V 电流:27A

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品牌名称: PN Junction
商品型号: P3M06120K4
商品编号: C6352267
商品封装: TO-247-4L
包装方式: 管装
商品毛重: 7.718克(g)

商品参数

商品概述

TP65H035WSQA 650V、35mΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）是一款常关型汽车级（AEC-Q101）合格器件。它结合了先进的高压GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）和低压硅MOSFET技术，具备卓越的可靠性和性能。与硅器件相比，Transphorm GaN通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，提高了效率。

商品特性

符合JEDEC标准的GaN技术
结温额定值为175°C
动态导通电阻（RDS(on)）生产测试
稳健设计，体现在
本征寿命测试
宽栅极安全裕量
瞬态过压能力
极低的反向恢复电荷（QRR）
降低的交越损耗
符合RoHS标准且无卤封装

应用领域

汽车领域-数据通信-广泛的工业应用-光伏逆变器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	27A
	导通电阻(RDS(on))	158mΩ@15V,10A

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	131W
	阈值电压(Vgs(th))	2.2V
	栅极电荷量(Qg)	31.6nC@15V
	反向传输电容(Crss)	8.6pF@400V
	工作温度	-55℃~+175℃@(Tj)